HY2142

产品特性
  • 内建高精度电池侦测电流
  • 延迟时间由内部电路设置(不需要外接电容)
  • 延迟时间缩短功能:通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间
  • 输出逻辑:CMOS输出,高电平有效;高电平由稳压器输出7V(典型值)
  • 输出逻辑高电平有效最长时间:可选,不局限于默认值
  • 低电流(25°C; n = 1,2,3,4)
    • 操作模式  (VCelln = 3.9V,LDO ON)典型值5.0μA,最大9.0μA。
    • 关闭模式1(VCelln = 3.1V,LDO ON)典型值4.5μA,最大值8.0μA。
    • 关闭模式2(VCelln = 2.0V,LDO OFF)典型值0.6μA,最大1.0μA。
  • LDO输出电路
    • LDO输出电压3.0V / 3.3V(典型值)。精度:±65mV
    • LDO输出电流最大2mA。
  • 输入电压检测水平:
    • 电压检测电平(从VDD)2.8V(典型值)。精度:±1V
  • 耐高压设计:绝对最大额定值为30V。
  • 宽工作温度范围:-40°C至+ 85°C
  • 小包装:DNF8(1.97×2.46mm)
  • 无卤绿色产品

Package Type DFN8 (1.97X2.46mm)

IC型号 过充电检测电压
VCUn
过充电释放电压
VCRn
过充电检测
延迟时间
TOCn
过充电释放
延迟时间
TCRn
过充电检测计数器
复位延迟时间
TDTR
HY2142-AA6G 4.350 V 3.950 V 6.0s 64ms <0.6ms
HY2142-AJ4C 4.350 V 3.950 V 4.0s 64ms 12ms
HY2142-CJ4C 4.450 V 4.050 V 4.0s 64ms 12ms
HY2142-DJ4C 4.500 V 4.100 V 4.0s 64ms 12ms
HY2142-EJ4C 4.550 V 4.150 V 4.0s 64ms 12ms
HY2142-ZJ4C 4.300 V 3.900 V 4.0s 64ms 12ms

 

选型表