HY2142
產品特性
- 內建高精度電池偵測電流
- 延遲時間由內部電路設置（不需要外接電容）
- 延遲時間縮短功能：通過特定的設置可以縮短過充電檢測延遲時間
- 輸出邏輯：CMOS輸出，高電平有效；高電平由穩壓器輸出7V（典型值）
- 輸出邏輯高電平有效最長時間：可選，不局限于默認值
- 低電流（25°C; n = 1,2,3,4）
- 操作模式 （VCelln = 3.9V，LDO ON）典型值5.0μA，最大9.0μA。
- 關閉模式1（VCelln = 3.1V，LDO ON）典型值4.5μA，最大值8.0μA。
- 關閉模式2（VCelln = 2.0V，LDO OFF）典型值0.6μA，最大1.0μA。
- LDO輸出電路
- LDO輸出電壓3.0V / 3.3V（典型值）。精度：±65mV
- LDO輸出電流最大2mA。
- 輸入電壓檢測水平：
- 電壓檢測電平（從VDD）2.8V（典型值）。精度：±1V
- 耐高壓設計：絕對最大額定值為30V。
- 寬工作溫度範圍：-40°C至+ 85°C
- 小包裝：DNF8(1.97×2.46mm)
- 無鹵綠色產品
Package Type DFN8 (1.97X2.46mm)
| IC型號 | 過充電檢測電壓 VCUn |
過充電釋放電壓 VCRn |
過充電檢測 延遲時間 TOCn |
過充電釋放 延遲時間 TCRn |
過充電檢測計數器 復位延遲時間 TDTR |
|---|---|---|---|---|---|
| HY2142-AJ4C | 4.350 V | 3.950 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
| HY2142-CJ4C | 4.450 V | 4.050 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
| HY2142-DJ6G | 4.500 V | 4.100 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
| HY2142-ZJ4C | 4.300 V | 3.900 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)
| IC型號 | 過充電檢測電壓 VCUn |
過充電釋放電壓 VCRn |
過充電檢測 延遲時間 TOCn |
過充電釋放 延遲時間 TCRn |
過充電檢測計數器 復位延遲時間 TDTR |
|---|---|---|---|---|---|
| HY2142-AA6G | 4.350 V | 3.950 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
| HY2142-DA4C | 4.500 V | 4.100 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
| HY2142-EA6G | 4.550 V | 4.150 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
| HY2142-FA6G | 4.600 V | 4.200 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
選型表
