HY2143
产品特性
内建高精度电池侦测电流
- 延迟时间由内部电路设置（不需要外接电容）
- 输出逻辑：CMOS输出，高电平有效；高电平由稳压器输出4.7V（典型值）
- 输出逻辑高电平有效最长时间：可选，不局限于默认值
- 低耗电流
- 工作模式典型值5.0μA，最大9.0μA（VCelln = 3.9V）。
- 关闭模式1: 典型值4.5μA，最大值8.0μA（VCelln = 3.1V）。
- 关闭模式2: 典型值0.6μA，最大1.0μA（VCelln = 2.0V）。
- LDO输出电路
- LDO输出电压3.0V / 3.3V（典型值）。精度：±65mV
- LDO输出电流最大2mA。
- 输入电压检测水平：
- 电压检测电平（從VDD）2.8V（典型值）。精度：±1V
- 耐高压设计：绝对最大额定值为30V。
- 宽工作温度范围：-40°C至+ 85°C
- 小包裝：DFN-2.0 * 2.0-8L
- 无卤绿色产品
Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)
| IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
关闭模式2检测电压 VSD2n |
过充电检测 延迟时间 TOCn |
过充电释放 延迟时间 TCRn |
过充电检测计数器 复位延迟时间 TDTR |
LDO输出电压 VLDO |
关闭模式2检测 延迟时间 TSD2n |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HY2143-DA1C | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2143-DA1H | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2143-EA1D | 4.550 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2143-FA1H | 4.600 V | 4.300 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2143-GA1H | 4.650 V | 4.300 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
选型表
