在產品開發過程中如何提高EFT特性?

要保證晶片的正常運行,除晶片本身要有一定的抗幹擾能力外,硬體保護也必不可少:

1. 電源輸入位置要做好濾波,通常採用大小電容組合,外部電源必須要經過電容再到達晶片電源端。
2. RST復位端上拉一100KΩ左右的電阻到VDD端,並且需添加大小為1nF左右的接地電容。此外重定電路在PCB佈線時,儘量靠近復位管腳,以減小與地端、電源端的耦合強度。
3. 設計外部振盪電路時,應該視晶振參數選擇合適的匹配電容和匹配電阻,請參考HY11P Family User’s Guide―振盪器、時脈源與功耗管理章節。振盪電路應盡可能靠近晶片I/O PIN,並與地線和電源線保持足夠的距離,以避免電源高頻雜訊幹擾。
4. I/O端具有高雜訊的負載最好以光耦等元件隔離或加吸雜訊電路。如果是有危險的負載,應加有上拉或者下拉電阻以防止晶片損壞時的誤動作。另外,某些特殊場 合由於安全的需要,具有危險性的負載也可以利用軟體脈衝驅動的方式,透過電容耦合,以避免晶片復位或當機時的誤啟動造成的危險。