紘康HY11Pxx系列晶片類比周邊設備工作電壓範圍是2.4V~3.6V；數位周邊設備和CPU工作電壓範圍是2.2V~3.6V。

紘康HY11Pxx系列晶片工作頻率為28KHz~8MHz。內部高精度RC振盪器可以輸出頻率為28KHz和2MHz，外接石英振盪器的振盪頻率由32768Hz~8MHz不等。

在晶片進入休眠模式前，I/O PIN應設置為數位輸入狀態且啟用上拉電阻（Pull High），以避免I/O浮接而導致晶片進入休眠模式後產生漏電流。或將I/O PIN設置為輸出狀態。

當外部電路存在接地回路時可將I/O PIN設置為輸出狀態，並且輸出Low，可使功耗最小。

沒有用到的I/O PIN應設成輸入狀態，並啟用上拉電阻（Pull High），避免因I/O PIN浮接時造成IC耗電。或將I/O PIN設置為輸出狀態。

請參考 HY11P系列PCB佈線建議。

請參考 HY11P系列PCB佈線建議。

振盪器起振最低電壓為Data Sheet所列2.2V，當晶片在低電壓Reset狀態時，由於工作電壓過低，會導致振盪器停止工作。當BOR線路偵測到工作電壓准位元低於設計值時，會 產生重定信號使晶片進入重新啟動狀態，直至恢復工作電壓2.2V或以上，振盪器才能啟振。

在Timer-C用作PWM輸出的時候可以同時用作中斷源，此時Timer-C溢出的時間間接決定PWM輸出頻率。

請參考 HY11P Family User’s Guide ―頻率產生器，PWM/PFD章節。

1. SCK、SDA控制引腳需外接10KΩ上拉電阻，晶片I/O口則不需要再啟用上拉電阻。
2. 一定要確定EEPROM傳回正確ACK訊號，否則容易造成讀寫錯誤。

Data Sheet中電氣特性章節明確給出I/O PIN上拉電阻阻值為180KΩ。

1. 將具有AD複用功能的I/O 口設置為AD口使用。
2. 在進入休眠模式之前，可以將ADC關閉（ENADC[0]=0）減小功耗。

要保證晶片的正常運行，除晶片本身要有一定的抗幹擾能力外，硬體保護也必不可少：

1. 電源輸入位置要做好濾波，通常採用大小電容組合，外部電源必須要經過電容再到達晶片電源端。
2. RST復位端上拉一100KΩ左右的電阻到VDD端，並且需添加大小為1nF左右的接地電容。此外重定電路在PCB佈線時，儘量靠近復位管腳，以減小與地端、電源端的耦合強度。
3. 設計外部振盪電路時，應該視晶振參數選擇合適的匹配電容和匹配電阻，請參考HY11P Family User’s Guide―振盪器、時脈源與功耗管理章節。振盪電路應盡可能靠近晶片I/O PIN，並與地線和電源線保持足夠的距離，以避免電源高頻雜訊幹擾。
4. I/O端具有高雜訊的負載最好以光耦等元件隔離或加吸雜訊電路。如果是有危險的負載，應加有上拉或者下拉電阻以防止晶片損壞時的誤動作。另外，某些特殊場 合由於安全的需要，具有危險性的負載也可以利用軟體脈衝驅動的方式，透過電容耦合，以避免晶片復位或當機時的誤啟動造成的危險。

1. 工作電壓：詳細請參考Data Sheet電氣特性章節。
2. 工作環境溫度： 詳細請參考Data Sheet電氣特性章節。
3. 外部幹擾源：不同的RC組合，會有不同的抗幹擾性能。PCB布板也可以改善RC振盪的穩定性。

在產品開發時，按鍵是很常見的功能，由於考慮到成本等因素，很多客戶都是將按鍵的兩端分別與MCU和GND相連，這種做法在大部分情況下是沒有問題的。但是，當該產品的工作環境比較差，比如有ESD、電源雜訊等幹擾時，此時若按鍵被按下就很可

能會有瞬間大電流或高電壓甚至負壓灌入I/O口，造成I/O口損傷。
針對這種問題的防範措施是：根據實際電路的需要，在按鍵與晶片的I/O口之間串接100Ω~1KΩ電阻，可有效避免上述問題。

HY11Pxx系列MCU普通I/O口內置上拉電阻，其阻值為180KΩ。如果客戶在程式中將某I/O口的上拉電阻使能，同時又在該I/O口的周邊接有下拉電阻，在沒有信號輸入的情況下，相當於內置上拉電阻與外接下拉電阻串聯分壓，所以有可能會導致I/O口讀不到低電平。
因此，客戶在程式設計時，如果I/O口需要下拉狀態，可在該I/O口外接下拉電阻，但切記要關閉該I/O口的內部上拉電阻。