HY2142
产品特性
- 内建高精度电池侦测电流
- 延迟时间由内部电路设置（不需要外接电容）
- 延迟时间缩短功能：通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间
- 输出逻辑：CMOS输出，高电平有效；高电平由稳压器输出7V（典型值）
- 输出逻辑高电平有效最长时间：可选，不局限于默认值
- 低电流（25°C; n = 1,2,3,4）
- 操作模式 （VCelln = 3.9V，LDO ON）典型值5.0μA，最大9.0μA。
- 关闭模式1（VCelln = 3.1V，LDO ON）典型值4.5μA，最大值8.0μA。
- 关闭模式2（VCelln = 2.0V，LDO OFF）典型值0.6μA，最大1.0μA。
- LDO输出电路
- LDO输出电压3.0V / 3.3V（典型值）。精度：±65mV
- LDO输出电流最大2mA。
- 输入电压检测水平：
- 电压检测电平（从VDD）2.8V（典型值）。精度：±1V
- 耐高压设计：绝对最大额定值为30V。
- 宽工作温度范围：-40°C至+ 85°C
- 小包装：DNF8(1.97×2.46mm)
- 无卤绿色产品
Package Type DFN8 (1.97X2.46mm)
| IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
过充电检测 延迟时间 TOCn |
过充电释放 延迟时间 TCRn |
过充电检测计数器 复位延迟时间 TDTR |
|---|---|---|---|---|---|
| HY2142-AJ4C | 4.350 V | 3.950 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
| HY2142-CJ4C | 4.450 V | 4.050 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
| HY2142-DJ6G | 4.500 V | 4.100 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
| HY2142-ZJ4C | 4.300 V | 3.900 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)
| IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
过充电检测 延迟时间 TOCn |
过充电释放 延迟时间 TCRn |
过充电检测计数器 复位延迟时间 TDTR |
|---|---|---|---|---|---|
| HY2142-AA6G | 4.350 V | 3.950 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
| HY2142-DA4C | 4.500 V | 4.100 V | 4.0s | 64ms | 12ms |
| HY2142-EA6G | 4.550 V | 4.150 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
| HY2142-FA6G | 4.600 V | 4.200 V | 6.0s | 64ms | <0.6ms |
选型表
