HY2141

产品特性
  • 内建高精度电池侦测电流
  • 延迟时间由内部电路设置(不需要外接电容)
  • 延迟时间缩短功能:通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间
  • 输出逻辑:CMOS输出,高电平有效;高电平由稳压器输出4.7V(典型值)
  • 输出逻辑高电平有效最长时间:可选,不局限于默认值
  • 低耗电流:
    • 工作模式:典型值5.0μA,最大值9.0μA(VCelln = 4.15V)
    • 过充检测关断模式:典型值4.5μA,最大值8.0μA(VCelln = 3.1V)
    • LDO关闭模式:典型值0.5μA,最大值1.0μA(VCelln = 2.0V)
    • 待机模式:最大值0.5μA(VCelln = 1.5V)
  • 2节/3节/4节应用选择:通过外部线路,2节/3节/4节应用可选
  • LDO输出电路:
    • LDO输出电压:3.3V 精度±65mV
    • LDO输出电流:最大值2.5mA
  • 高耐压设计:绝对最大额定值是30V
  • 宽工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
  • 小型封装:DFN-2.0*2.0-8L
  • 无卤素绿色环保产品

Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)

IC型号 过充电检测电压
VCUn
过充电释放电压
VCRn
关闭模式2检测电压
VSD2n
过充电检测
延迟时间
TOCn
过充电释放
延迟时间
TCRn
过充电检测计数器
复位延迟时间
TDTR
LDO输出电压
VLDO
关闭模式2检测
延迟时间
TSD2n
HY2141-DA1C 4.500 V 4.200 V 2.500 V 6.0s 16ms 6ms 3.300 V 6.0s