HY2131

产品特性
  • 高精度电压检测电路
  • 延迟时间由内部电路设置(不需外接电容)
  • 延时时间缩短功能:通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间
  • 输出逻辑:CMOS输出,高电平有效;高电平由稳压器输出4.7V(典型值)
  • 低耗电流:
    • 工作模式 典型值3.0μA ,最大值6.0μA(VCelln=3.9V)
    • 待机模式 最大值0.5μA(VCelln=3.1V)
  • 2节/3节应用选择:通过外部线路,2节或3节应用可选。
  • 高耐压设计:绝对最大额定值是30V。
  • 宽工作温度范围: -40℃~+85℃
  • 小型封装: TSOT-23-6, DFN6 (1.8X2.0mm)
  • 无卤素绿色环保产品

Package Type TSOT-23-6   DataSheet

IC型号 过充电检测电压
VCUn
过充电释放电压
VCRn
待机检测电压
VSB
充电检测延迟时间
TOC
过充电释放电压
TCR
过充电检测计时器
复位延迟时间
TDTR
HY2131-AF1A 4.350 V 4.050 V 3.5 V 6000 ms 16 ms 6 ms
HY2131-BF1A 4.450 V 4.150 V 3.5 V 6000 ms 16 ms 6 ms
HY2131-CF1A 4.400 V 4.100 V 3.5 V 6000 ms 16 ms 6 ms
HY2131-DF1A 4.500 V 4.200 V 3.5 V 6000 ms 16 ms 6 ms
HY2131-EF1A 4.550 V 4.250 V 3.5 V 6000 ms 16 ms 6 ms

Package Type DFN6 (1.8X2.0mm)   DataSheet

IC型号 过充电检测电压
VCUn
过充电释放电压
VCRn
待机检测电压
VSB
充电检测延迟时间
TOC
过充电释放电压
TCR
过充电检测计时器
复位延迟时间
TDTR
HY2131-DA2A 4.500V 4.200 V 3.5 V 4000 ms 16 ms 6 ms

 

选型表